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本研究主要以反應性濺鍍來成長NbNx薄膜於銅-矽基材多層膜系統中擴散阻障層失效機制的研究。觀察N2/Ar流量比對NbNx薄膜之沈積速率、N/Nb原子比、結晶結構、電阻率及表面型態之影響。實驗結果顯示…
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本研究利用射頻電漿濺鍍沉積氧化銦錫(ITO)薄膜於水溶性高分子polystyrene sulfonate (PSS)上，以翻膜轉印之技術將ITO薄膜轉移至有機高分子材料表面，作為有機光電元件之透明電…
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鉬在硒化銅銦鎵或銅鋅錫硫這類太陽能電池中扮演著電極的角色。若在高瓦數，高溫製程下，可使鉬薄膜有較低的電阻極好的結晶度，但卻需消耗較高的能量，且不適用於軟性基版。本研究利用直流電漿濺鍍沉積鉬薄膜於自組…
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本論文藉由物理氣相沉積系統(PVD)沉積矽薄膜於自組裝單分子薄膜(SAM)改質後的石英基板，並利用固相結晶法(SPC)使非晶矽薄膜結晶為多晶矽薄膜，最後使用SEM觀察表面型態；Raman光譜、XRD…
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本論文利用射頻電漿濺鍍沉積氧化鋅鋁(AZO)薄膜於自組裝單分子層薄膜(self-assembled monolayer, SAM)修飾後的玻璃基板，一般而言，低溫製程環境下所沉積出來的AZO薄膜不具…
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本研究主要為設計、組裝、測試真空製程及分析系統。此系統分為三部分，其一為前置樣品傳送腔體(Load-lock chamber)，可快速傳送樣品進入其他腔體；其二為製程腔體，包含電子蒸鍍槍(Elect…
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以RF濺鍍來成長TaNx薄膜並觀察N2/Ar流量比對TaNx薄膜之沈積速率、N/Ta原子比、電阻率及結晶結構之影響。實驗結果顯示TaNx薄膜的沈積速率會隨著N2/Ar流量比的增加而下降；TaNx薄膜…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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在本論文中我們使用射極-濺鍍沉積參鎢氧化銦以及氫化氧化銦之透明導電膜，期望能利用該等材質較高的功函數以及光學透過特性應用於矽晶異質接面太陽能電池的製作上，以獲得較佳電池轉換效率之表現。實驗結果顯示，…
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摘要 本研究主要提出氧化釓摻雜氧化鈰(Gadolinia-doped Ceria, GDC)薄膜於固態氧化物燃料電池中固態電解質層應用的可行性評估。GDC薄膜係以射頻反應性濺鍍法(RF-Re…